合肥无压低温烧结纳米银膏厂家 善仁纳米烧结银 烧结银膏

在电子封装领域，纳米银浆较先被应用在大功率封装领域中。善仁新材料公司采用30nm-50nm的纳米银浆在275℃无压状态下获得了良好的烧结接头。接头的致密度可高达80%，剪切强度达到20MPa。烧结层的热传导率是普通共晶焊料的5 倍以上，这种由纳米银烧结层构成互连层的芯片基板互连技术是一种潜在的适合*三代半导体---宽禁带半导体器件（碳化硅SiC或氮化镓GaN）的技术。此外接头还可承受300℃下，400小时的温度存储试验。
高UPH是AlwayStone AS9330的主要优势。然而，更为**的是该材料的导热性和可靠性。与现有高功率器件的选择-有铅软焊料相比，AlwayStone AS9330在功率循环可靠性测试中的表现优势非常大：有铅软焊料只能耐200次循环，而善仁新材的银烧结技术在循环2,000多次之后才出现失效。由于具备优于焊接材料的高导热性和低热阻，AlwayStone AS9330能提供更好的性能和可靠性。对于*三代半导体之类的大功率器件来说，这一产品表现出了传统解决方案所没有的巨大优势。

善仁新材的这一技术提高了生产效率，从传统银烧结技术每小时只能生产约30个产品上升至现在的每小时3000个。现在，凭借这一新的银烧结材料，*三代半导体封装们得以实现高产能，高可靠性的产品。

为响应*三代半导体快速发展的需求，善仁新材宣布了革命性的银烧结技术的成功。该技术*加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。AlwayStone AS9330是一款使用了善仁银烧结技术的纳米银，它是一种高可靠性的芯片粘接材料，非常适用于SiC和高功率LED产品等功率模块。

8  其他建议：善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高，烧结体密度和硬度逐渐，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，的趋势更加明显;与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着，280℃烧结银的热导率已达到216W/(m·K);热膨胀行为分析也指出150℃、200℃、250℃三个温度烧结的银浆在加热到100℃以上时热膨胀系数都接近于银浆块体的热膨胀系数值，且**230℃烧结的银块体因烧结过程引起的收缩对热膨胀行为影响较小，所以呈现出稳定的状态。
善仁新材研发人员对混合纳米银的成分进行了分析，发现混合银的分散剂主要来源于小尺寸纳米银配方，这些分散剂在150℃开始分解，但是在400℃仍没有分解完全;对混合纳米银浆混合前后、烧结前后组织形貌的观察发现混合银浆中小尺寸纳米银颗粒包围大尺寸纳米银颗粒而分布，随着加热温度升高，颗粒逐渐形成烧结晶并粗化长大，当加热到230℃时，由于发生原子扩散重排，烧结组织从松枝状结构向3D网络状结构转变，组织明显致密化。
http://ufuture.cn.b2b168.com